Titre du document / Document title

Acoustic-phonon emission due to localized photoexcitation of Si : electron-hole droplets versus the phonon hot spot

Auteur(s) / Author(s)

ESIPOV S. E. ; MSALL M. ; WOLFE J. P. ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

Univ. Illinois Urbana-Champaign, dep. physics, material res. lab., Urbana IL 61801, ETATS-UNIS

Résumé / Abstract

We consider theoretically the evolution of nonequilibrium carriers and phonons created by optical excitation of Si at low temperatures (T<2 K) in light of recent heat-pulse experiments. At low excitation levels (≤20 W/mm²), the detected phonons indicate a quasidiffusive propagation mode, involving anharmonic decay and elastic scattering of relatively high-frequency (≥1 THz) phonons. At intermediate excitation densities (≥20 W/mm²) a transition is observed to a localized source of relatively low-frequency (≤1 THz) phonons. The threshold for this effect is much lower than that predicted for the formation of a hot spot involving only the phonon system

Revue / Journal Title

Physical review. B, Condensed matter   ISSN 0163-1829   CODEN PRBMDO 

Source / Source

1993, vol. 47, n^o20, pp. 13330-13337 (19 ref.)

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

American Physical Society, Woodbury, NY, ETATS-UNIS  (1978-1997) (Revue)

Mots-clés anglais / English Keywords

Electron hole drop ; Phonon emission ; Acoustic phonon ; Excitation ; Phonon scattering ; Elastic scattering ; Hot carrier ; Charge carrier concentration ; Transport process ; Phonon ; Mean free path ; Illumination ; Relaxation ; Time variation ; Charge carrier recombination ; Auger recombination ; Theoretical study ; Semiconductor materials ; Charge carrier scattering ; Electron hole pair ; Silicon ; Localized state ;

Mots-clés français / French Keywords

Goutte électron trou ; Emission phonon ; Phonon acoustique ; Excitation ; Diffusion phonon ; Diffusion élastique ; Porteur chaud ; Concentration porteur charge ; Phénomène transport ; Phonon ; Libre parcours moyen ; Eclairement ; Relaxation ; Variation temporelle ; Recombinaison porteur charge ; Recombinaison Auger ; Etude théorique ; Semiconducteur ; Diffusion porteur charge ; Paire électron trou ; Silicium ; Etat localisé ;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Gota electrón agujero ; Emisión fonón ; Fonón acústico ; Excitación ; Difusión fonón ; Difusión elástica ; Portador caliente ; Concentración portador carga ; Fenómeno transporte ; Fonón ; Libre recorrido medio ; Alumbrado ; Relajación ; Variación temporal ; Recombinación portador carga ; Recombinación Auger ; Estudio teórico ; Semiconductor(material) ; Difusión portador carga ; Par electrón hueco ; Silicio ; Estado localizado ;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 144 B, 35400003404374.0290