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Titre du document / Document title

Acoustic-phonon emission due to localized photoexcitation of Si : electron-hole droplets versus the phonon hot spot

Auteur(s) / Author(s)

ESIPOV S. E. ; MSALL M. ; WOLFE J. P. ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

Univ. Illinois Urbana-Champaign, dep. physics, material res. lab., Urbana IL 61801, ETATS-UNIS

Résumé / Abstract

We consider theoretically the evolution of nonequilibrium carriers and phonons created by optical excitation of Si at low temperatures (T<2 K) in light of recent heat-pulse experiments. At low excitation levels (≤20 W/mm2), the detected phonons indicate a quasidiffusive propagation mode, involving anharmonic decay and elastic scattering of relatively high-frequency (≥1 THz) phonons. At intermediate excitation densities (≥20 W/mm2) a transition is observed to a localized source of relatively low-frequency (≤1 THz) phonons. The threshold for this effect is much lower than that predicted for the formation of a hot spot involving only the phonon system

Revue / Journal Title

Physical review. B, Condensed matter    ISSN  0163-1829   CODEN PRBMDO 

Source / Source

1993, vol. 47, no20, pp. 13330-13337 (19 ref.)

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

American Physical Society, Woodbury, NY, ETATS-UNIS  (1978-1997) (Revue)

Mots-clés anglais / English Keywords

Electron hole drop

;

Phonon emission

;

Acoustic phonon

;

Excitation

;

Phonon scattering

;

Elastic scattering

;

Hot carrier

;

Charge carrier concentration

;

Transport process

;

Phonon

;

Mean free path

;

Illumination

;

Relaxation

;

Time variation

;

Charge carrier recombination

;

Auger recombination

;

Theoretical study

;

Semiconductor materials

;

Charge carrier scattering

;

Electron hole pair

;

Silicon

;

Localized state

;

Mots-clés français / French Keywords

Goutte électron trou

;

Emission phonon

;

Phonon acoustique

;

Excitation

;

Diffusion phonon

;

Diffusion élastique

;

Porteur chaud

;

Concentration porteur charge

;

Phénomène transport

;

Phonon

;

Libre parcours moyen

;

Eclairement

;

Relaxation

;

Variation temporelle

;

Recombinaison porteur charge

;

Recombinaison Auger

;

Etude théorique

;

Semiconducteur

;

Diffusion porteur charge

;

Paire électron trou

;

Silicium

;

Etat localisé

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Gota electrón agujero

;

Emisión fonón

;

Fonón acústico

;

Excitación

;

Difusión fonón

;

Difusión elástica

;

Portador caliente

;

Concentración portador carga

;

Fenómeno transporte

;

Fonón

;

Libre recorrido medio

;

Alumbrado

;

Relajación

;

Variación temporal

;

Recombinación portador carga

;

Recombinación Auger

;

Estudio teórico

;

Semiconductor(material)

;

Difusión portador carga

;

Par electrón hueco

;

Silicio

;

Estado localizado

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 144 B, 35400003404374.0290

Nº notice refdoc (ud4) : 4817351



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