Titre du document / Document title

Semiconductor positron band structures

Auteur(s) / Author(s)

AOURAG H. ; KHELIFA B. ; BOUNOUA A. ; HAMMADI M. ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

Univ. Oran, inst. physique, lab. optique, Oran 31100, ALGERIE

Résumé / Abstract

Une fois que le positon est dans ses états de basse énergie, des ondes de Bloch forment sa propre «structure de bande» de positon. On présente trois différentes sortes de structure : groupe IV, groupe III-V et groupe II-VI

Revue / Journal Title

Physica status solidi. B. Basic research    ISSN  0370-1972   CODEN PSSBBD 

Source / Source

1991, vol. 164, n^o2, pp. K77-K81 (6 ref.)

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

Wiley-VCH, Berlin, ALLEMAGNE  (1971) (Revue)

Mots-clés anglais / English Keywords

Bloch function

;

Semiconductor materials

;

Positron

;

Band structure

;

Theoretical study

;

Bloch function

;

Semiconductor materials

;

Positron

;

Band structure

;

Theoretical study

;

Bloch function

;

Semiconductor materials

;

Positron

;

Band structure

;

Theoretical study

;

Mots-clés français / French Keywords

Fonction Bloch

;

Semiconducteur

;

Positon

;

Structure bande

;

Etude théorique

;

Fonction Bloch

;

Semiconducteur

;

Positon

;

Structure bande

;

Etude théorique

;

Fonction Bloch

;

Semiconducteur

;

Positon

;

Structure bande

;

Etude théorique

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Función Bloch

;

Semiconductor(material)

;

Positrón

;

Estructura banda

;

Estudio teórico

;

Función Bloch

;

Semiconductor(material)

;

Positrón

;

Estructura banda

;

Estudio teórico

;

Función Bloch

;

Semiconductor(material)

;

Positrón

;

Estructura banda

;

Estudio teórico

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 10183 B