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Titre du document / Document title

Dry etching of magnesium oxide thin films by using inductively coupled plasma for buffer layer of MFIS structure

Auteur(s) / Author(s)

KIM Gwan-Ha (1) ; KIM Chang-Il (1) ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

(1) School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, 221, Huksuk-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, COREE, REPUBLIQUE DE

Résumé / Abstract

Magnesium oxide thin film has been widely used as a buffer layer and substrate for growing various thin film materials because of very low Gibbs free energy, low dielectric constant and low refractive index. The investigations of the MgO etching characteristics in BCl3/Ar plasma were carried out using the inductively coupled plasma system. It was found that the increasing BCl3 in the mixing ratio of BCl3/Ar plasma causes monotonic MgO etch rate. The results showed in the BCl3-rich plasma that the etching process is dominantly supplied by the chemical pathway through the ion-assisted chemical reaction.

Revue / Journal Title

Thin solid films    ISSN  0040-6090   CODEN THSFAP 

Source / Source

Congrès
DPS 2005: International Symposium on Dry Process, Jeju , COREE, REPUBLIQUE DE (28/11/2005)
2007, vol. 515, no 12 (364 p.)  [Document : 5 p.] (20 ref.), [Notes: Peer-reviewed papers presented in DPS 2005], pp. 4955-4959 [5 page(s) (article)]

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

Elsevier, Amsterdam, PAYS-BAS  (1967) (Revue)

Mots-clés anglais / English Keywords

Magnesium oxide

;

Electrostatic probe

;

Plasma etching

;

Etching rate

;

Microelectronic fabrication

;

Refraction index

;

Permittivity

;

Free energy

;

Lamellar structure

;

Buffer layer

;

Inductively coupled plasma

;

Thin film

;

Dry etching

;

Mots-clés français / French Keywords

5270

;

5277B

;

8540H

;

8540

;

MgO

;

Magnésium oxyde

;

Sonde électrostatique

;

Gravure plasma

;

Vitesse gravure

;

Fabrication microélectronique

;

Indice réfraction

;

Constante diélectrique

;

Energie libre

;

Structure lamellaire

;

Couche tampon

;

Plasma couplé inductivement

;

Couche mince

;

Gravure sèche

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Magnesio óxido

;

Sonda electrostática

;

Grabado plasma

;

Velocidad grabado

;

Fabricación microeléctrica

;

Indice refracción

;

Constante dieléctrica

;

Energía libre

;

Estructura lamelar

;

Capa tampón

;

Capa fina

;

Grabado seco

;

Mots-clés d'auteur / Author Keywords

Magnesium oxide

;

Etching

;

Inductively coupled plasma

;

Langmuir probe

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 13597, 35400015938799.0240

Nº notice refdoc (ud4) : 18654575



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