Titre du document / Document title

InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitors with HfO₂ gate dielectric grown by atomic-layer deposition

Auteur(s) / Author(s)

GOEL N. ; MAJHI P. ; CHUI C. O. ; TSAI W. ; CHOI D. ; HARRIS J. S. ;

Revue / Journal Title

Applied physics letters   ISSN 0003-6951   CODEN APPLAB 

Source / Source

2006, vol. 89, n^o16, [Note(s): 163517.1-163517.3]

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

American Institute of Physics, Melville, NY, ETATS-UNIS  (1962) (Revue)

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 10020, 35400014313556.1240