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Titre du document / Document title

Electrical effect in organic thin-film transistors using polymerized gate insulators by vapor deposition polymerization (VDP)

Auteur(s) / Author(s)

PYO S. W. (1 2) ; LEE D. H. (2 3) ; KOO J. R. (1 2) ; KIM J. H. (2 4) ; SHIM J. H. (4) ; KIM J. S. (1) ; KIM Y. K. (4 5) ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

(1) Dept. of Electrical Information & Control Eng., Hong-Ik Univ, Seoul 121-791, COREE, REPUBLIQUE DE
(2) Center for Organic Materials and Information Devices, Hong-Ik Univ, Seoul 121-791, COREE, REPUBLIQUE DE
(3) Dept. of Molecular Electronic Eng., Hong-lk Univ, Seoul 121-791, COREE, REPUBLIQUE DE
(4) Dept. of Electronic Eng., Hong-Ik Univ, Seoul 121-791, COREE, REPUBLIQUE DE
(5) Dept. of Chemical Eng., Hong-Ik Univ, Seoul 121-791, COREE, REPUBLIQUE DE

Résumé / Abstract

We report that the organic thin film transistors were fabricated by the organic gate insulators transistor with vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polyimide as a gate insulator, vapor deposition polymerization process was also introduced instead of spin-coating process, where polyimide film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and 4,4'-oxydianiline (ODA), and cured at 150 °C for 1 hour followed by 200 °C for 1 hour. Details on the explanation of organic thin-film transistors (OTFTs) electrical characteristics of 6FDA-ODA as gate insulators fabricated thermal co-deposition method.

Revue / Journal Title

Synthetic metals    ISSN  0379-6779   CODEN SYMEDZ 

Source / Source

Congrès
ICSM 2004 International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals, Wollongong , AUSTRALIE (28/06/2004)
2005, vol. 154, no 1-3 (353 p.)  [Document : 4 p.] (7 ref.), [Notes: Selected papers], pp. 141-144 [4 page(s) (article)]

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

Elsevier, Amsterdam, PAYS-BAS  (1979) (Revue)

Mots-clés anglais / English Keywords

Electrical characteristic

;

Experimental study

;

Energy band

;

Band diagrams

;

Charge carrier mobility

;

Voltage current curve

;

Gas polymerization

;

Vapor deposition

;

Manufacturing

;

Thin film transistor

;

Organic insulators

;

Use

;

Aromatic polymer

;

Fluorine containing polymer

;

Polyimide

;

Mots-clés français / French Keywords

Caractéristique électrique

;

Isolant grille

;

Etude expérimentale

;

Bande énergie

;

Diagramme bande

;

Mobilité porteur charge

;

Caractéristique courant tension

;

Polymérisation phase gazeuse

;

Dépôt phase vapeur

;

Fabrication

;

Transistor couche mince

;

Isolant organique

;

Utilisation

;

Polymère aromatique

;

Polymère fluor

;

Imide polymère

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Característica eléctrica

;

Estudio experimental

;

Banda energía

;

Movilidad portador carga

;

Característica corriente tensión

;

Polimerización fase gaseosa

;

Depósito fase vapor

;

Fabricación

;

Transistor capa delgada

;

Uso

;

Polímero aromático

;

Polímero flúor

;

Imida polímero

;

Mots-clés d'auteur / Author Keywords

Organic thin-film transistor

;

vapor deposition polymerization

;

gate insulator

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 18315, 35400013176079.0360

Nº notice refdoc (ud4) : 17169502



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