Titre du document / Document title

Effects of hydrogen annealing on heteroepitaxial-Ge layers on Si: Surface roughness and electrical quality

Auteur(s) / Author(s)

NAYFEH Ammar ; CHI ON CHUI ; SARASWAT Krishna C. ; YONEHARA Takao ;

Revue / Journal Title

Applied physics letters   ISSN 0003-6951   CODEN APPLAB 

Source / Source

2004, vol. 85, n^o14, pp. 2815-2817 [3 page(s) (article)]

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

American Institute of Physics, Melville, NY, ETATS-UNIS  (1962) (Revue)

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 10020, 35400012244183.0470