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Titre du document / Document title

Effect of plasma parameters on the analysis of the semiconductor process

Auteur(s) / Author(s)

KISHI Yoko (1) ; KAWABATA Katsu (1) ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

(1) PerkinElmer Life and Analytical Sciences, 71 Four Valley Drive, Concord, ON, L4K 4V8, CANADA

Revue / Journal Title

Atomic spectroscopy    ISSN  0195-5373   CODEN ASPND7 

Source / Source

2003, vol. 24, no2, pp. 46-48 [3 page(s) (article)]

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

Perkin Elmer, Shelton, CT, ETATS-UNIS  (1980) (Revue)

Mots-clés anglais / English Keywords

Electronics industry

;

Mass spectrometry

;

Inductive coupling plasma spectrometry

;

Coupled method

;

Analysis method

;

Plasma characteristic

;

Operating conditions

;

Optimization

;

Mots-clés français / French Keywords

Industrie électronique

;

Spectrométrie masse

;

Spectrométrie ICP

;

Méthode couplée

;

Méthode analyse

;

Caractéristique plasma

;

Condition opératoire

;

Optimisation

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Industria electrónica

;

Espectrometría masa

;

Espectrometría ICP

;

Método acoplado

;

Método análisis

;

Característica plasma

;

Condición operatoria

;

Optimización

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 14108, 35400011840791.0040

Nº notice refdoc (ud4) : 14868688



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