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Titre du document / Document title

MBE-grown epitaxial oxides for advanced gate stack

Auteur(s) / Author(s)

FOMPEYRINE J. (1) ; NORGA G. (1) ; GUILLER A. (1) ; MARCHIORI C. (1 2) ; LOCQUET J.-P (1) ; SIEGWART H. (1) ; HALLEY D. (1) ; ROSSEL C. (1) ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

(1) IBM Research Division, Zurich Research Laboratory, Rueschlikon, SUISSE
(2) Laboratorio MDM-INFM, Agrate B.za, ITALIE

Résumé / Abstract

A direct epitaxy approach for the growth of single crystal oxide thin films on silicon substrates using molecular beam epitaxy is presented. An appropriate surface orientation and adequate lattice matching are required to obtain thin films with good structural properties. Here, we report the growth of high quality layers on Si(111) using a solid solution of lanthanum and zirconium oxides. Composition as well as growth temperature effects are discussed. Capacitance measurements on MOS capacitors indicate a dielectric constant larger than 20.

Source / Source

Congrès
12th workshop on dielectrics in microelectronics :   ( Grenoble, 18-20 November 2002 )
WODIM : workshop on dielectrics in microelectronics No12, Grenoble , FRANCE (18/11/2002)
2003  , pp. 65-68[Note(s) :  [214 p.]] [Document : 4 p.] (10 ref.) ISBN 2-9514840-0-3 ;  Illustration : Illustration ;

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

IMEP, Grenoble, FRANCE  (2003) (Monographie)

Mots-clés anglais / English Keywords

Waveform

;

Experimental result

;

MOS capacitor

;

Measurement method

;

Capacitance

;

Temperature effect

;

Chemical composition

;

Zirconium oxide

;

Lanthanum oxide

;

Solid solution

;

Crystal growth

;

Structural analysis

;

Permittivity

;

Gates

;

Crystal orientation

;

Molecular beam epitaxy

;

Silicon

;

Single crystal

;

Epitaxial film

;

Oxide layer

;

Thin film

;

Microelectronic fabrication

;

Mots-clés français / French Keywords

O Zr

;

Zr2O7

;

La O

;

La2O7

;

Si

;

Forme onde

;

Résultat expérimental

;

Condensateur MOS

;

Méthode mesure

;

Capacité électrique

;

Effet température

;

Composition chimique

;

Zirconium oxyde

;

Lanthane oxyde

;

Solution solide

;

Croissance cristalline

;

Analyse structurale

;

Constante diélectrique

;

Electrode commande

;

Orientation cristalline

;

Epitaxie jet moléculaire

;

Silicium

;

Monocristal

;

Couche épitaxique

;

Couche oxyde

;

Couche mince

;

Fabrication microélectronique

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Forma onda

;

Resultado experimental

;

Capacidad MOS

;

Método medida

;

Capacitancia

;

Efecto temperatura

;

Composición química

;

Zirconio óxido

;

Lantano óxido

;

Solución sólida

;

Crecimiento cristalino

;

Análisis estructural

;

Constante dieléctrica

;

Orientación cristalina

;

Silicio

;

Monocristal

;

Capa epitáxica

;

Capa óxido

;

Capa fina

;

Fabricación microeléctrica

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : Y 34549, 35400010851773.0130

Nº notice refdoc (ud4) : 14832160



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