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Titre du document / Document title

A passivation study for low dark current InGaAs/InP PIN diode

Auteur(s) / Author(s)

NAVEEN KUMAR V. (1) ; KISHORE K. V. S. R. (1) ; RAO P. R. S. (1) ; AMITAVA DAS GUPTA (1) ; NANDITA DAS GUPTA (1) ;

Affiliation(s) du ou des auteurs / Author(s) Affiliation(s)

(1) Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Madras, Chennai-600 036, INDE

Résumé / Abstract

Low dark current InGaAs/InP mesa structured PIN diode detectors for operation at i.1-1.7μm have been fabricated. Dark current densities of 16μA/cm2 were achieved. The diodes have been passivated by polyimide, SiO2 and SiN layers and their effects on the dark current were studied. It was conclusively proved that polyimide passivation had the best results in terms of low dark current, reproducibility and long-term stability of the device.

Revue / Journal Title

SPIE proceedings series  

Source / Source

Congrès
Physics of semiconductor devices :   ( Delhi, 14-18 December 1999 )
International workshop on the physics of semiconductor devices No10, Delhi , INDE (14/12/1999)
2000  , vol. 3975 (2), pp. 617-620[Note(s) : 2 vol.(XX, 1506 p.), ] (5 ref.) ISBN 0-8194-3601-1 ;  Illustration : Illustration ;

Langue / Language

Anglais

Editeur / Publisher

Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, Bellingham, WA, INTERNATIONAL  (1988) (Revue)
SPIE, Bellingham WA, ETATS-UNIS  (2000) (Monographie)

Mots-clés anglais / English Keywords

Measurement sensor

;

MESA diode

;

Dark current

;

p i n diode

;

Passivation

;

Circuit design

;

Manufacturing process

;

Ternary compound

;

III-V compound

;

Gallium arsenides

;

Indium arsenides

;

Indium phosphide

;

Silicon oxides

;

Polyimide

;

Current density

;

Reproducibility

;

Mots-clés français / French Keywords

Capteur mesure

;

Diode MESA

;

Courant obscurité

;

Diode couche intrinsèque

;

Passivation

;

Conception circuit

;

Procédé fabrication

;

Composé ternaire

;

Composé III-V

;

Gallium arséniure

;

Indium arséniure

;

Indium phosphure

;

Silicium oxyde

;

Imide polymère

;

Densité courant

;

Reproductibilité

;

Mots-clés espagnols / Spanish Keywords

Captador medida

;

Diodo MESA

;

Corriente obscuridad

;

Diodo capa intrínseca

;

Pasivación

;

Concepción circuito

;

Procedimiento fabricación

;

Compuesto ternario

;

Compuesto III-V

;

Indio fosfuro

;

Imida polímero

;

Densidad corriente

;

Reproductividad

;

Localisation / Location

INIST-CNRS, Cote INIST : 21760, 35400009008658.1230

Nº notice refdoc (ud4) : 1382102



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